Toshiba Semiconductor and Storage - TK35N65W5,S1F

KEY Part #: K6416344

TK35N65W5,S1F 価格設定(USD) [13802個在庫]

  • 1 pcs$4.00596

品番:
TK35N65W5,S1F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5,S1F electronic components. TK35N65W5,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK35N65W5,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK35N65W5,S1F 製品の属性

品番 : TK35N65W5,S1F
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
シリーズ : DTMOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 35A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 95 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 2.1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 115nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4100pF @ 300V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 270W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.