FF650R17IE4DB2BOSA1 価格設定（USD） [157個在庫]
- 1 pcs$294.16009
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 1700V 650A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FF650R17IE4DB2BOSA1 electronic components. FF650R17IE4DB2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF650R17IE4DB2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FF650R17IE4DB2BOSA1 製品の属性
品番 :
FF650R17IE4DB2BOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 1700V 650A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1700V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
-
パワー-最大 :
4150W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.45V @ 15V, 650A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
54nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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