IRFH5250DTRPBF 価格設定（USD） [119955個在庫]
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- 品番:
- IRFH5250DTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH5250DTRPBF electronic components. IRFH5250DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5250DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH5250DTRPBF 製品の属性
品番 :
IRFH5250DTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
83nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6115pF @ 13V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.6W (Ta), 156W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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