ON Semiconductor - FDP4D5N10C

KEY Part #: K6394518

FDP4D5N10C 価格設定(USD) [25909個在庫]

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品番:
FDP4D5N10C
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
FET ENGR DEV-NOT REL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP4D5N10C 製品の属性

品番 : FDP4D5N10C
メーカー : ON Semiconductor
説明 : FET ENGR DEV-NOT REL
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 128A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 310µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5065pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.4W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3