Microsemi Corporation - JANTXV1N645-1

KEY Part #: K6425009

JANTXV1N645-1 価格設定(USD) [1050個在庫]

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品番:
JANTXV1N645-1
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N645-1 製品の属性

品番 : JANTXV1N645-1
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/240
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 225V
電流-平均整流(Io) : 400mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 400mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 50nA @ 225V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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