SE40PB-M3/86A 価格設定（USD） [412350個在庫]
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- 品番:
- SE40PB-M3/86A
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A, 100V, ESD PROTECTION, SM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE40PB-M3/86A electronic components. SE40PB-M3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE40PB-M3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE40PB-M3/86A 製品の属性
品番 :
SE40PB-M3/86A
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
2.4A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.05V @ 2A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2.2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
28pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-277, 3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-277A (SMPC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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ホットパーツ
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- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
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- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18