ON Semiconductor - NTMFS5832NLT1G

KEY Part #: K6416240

NTMFS5832NLT1G 価格設定(USD) [224029個在庫]

  • 1 pcs$0.16510
  • 1,500 pcs$0.15272

品番:
NTMFS5832NLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS5832NLT1G electronic components. NTMFS5832NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS5832NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS5832NLT1G 製品の属性

品番 : NTMFS5832NLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Ta), 111A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.1W (Ta), 96W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.