Infineon Technologies - IPC302N10N3X1SA1

KEY Part #: K6417613

IPC302N10N3X1SA1 価格設定(USD) [35765個在庫]

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品番:
IPC302N10N3X1SA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC302N10N3X1SA1 製品の属性

品番 : IPC302N10N3X1SA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1A (Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 302µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Sawn on foil
パッケージ/ケース : Die

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