IPC302N10N3X1SA1 価格設定（USD） [35765個在庫]
- 1 pcs$2.22553
- 品番:
- IPC302N10N3X1SA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPC302N10N3X1SA1 electronic components. IPC302N10N3X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC302N10N3X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC302N10N3X1SA1 製品の属性
品番 :
IPC302N10N3X1SA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1A (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 302µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Sawn on foil
パッケージ/ケース :
Die
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