Microsemi Corporation - JAN1N5809URS

KEY Part #: K6424983

JAN1N5809URS 価格設定(USD) [4803個在庫]

  • 1 pcs$9.06350
  • 100 pcs$9.01841

品番:
JAN1N5809URS
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5809URS 製品の属性

品番 : JAN1N5809URS
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 875mV @ 4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ : B, SQ-MELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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