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ON Semiconductor - NVMFD5C680NLT1G

KEY Part #: K6523017

NVMFD5C680NLT1G 価格設定（USD） [245211個在庫]

  • 1 pcs$0.15084
品番:
NVMFD5C680NLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5C680NLT1G electronic components. NVMFD5C680NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5C680NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5C680NLT1G 製品の属性

品番 : NVMFD5C680NLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 28 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.2V @ 13µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 2nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 350pF @ 25V
パワー-最大 : 3W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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