IXYS - IXFH7N90Q

KEY Part #: K6416104

IXFH7N90Q 価格設定(USD) [12229個在庫]

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品番:
IXFH7N90Q
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH7N90Q 製品の属性

品番 : IXFH7N90Q
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2200pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 180W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース : TO-247-3

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