IXYS - IXFH7N90Q

KEY Part #: K6416104

IXFH7N90Q 価格設定(USD) [12229個在庫]

  • 1 pcs$3.72526
  • 30 pcs$3.70673

品番:
IXFH7N90Q
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFH7N90Q electronic components. IXFH7N90Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH7N90Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH7N90Q 製品の属性

品番 : IXFH7N90Q
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2200pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 180W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません