DMNH10H028SPSQ-13 価格設定（USD） [88803個在庫]
- 1 pcs$0.44031
- 2,500 pcs$0.38805
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMNH10H028SPSQ-13 electronic components. DMNH10H028SPSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH10H028SPSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMNH10H028SPSQ-13 製品の属性
品番 :
DMNH10H028SPSQ-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2245pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.6W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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