メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
19.5 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
4.8nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
620pF @ 15V
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-UDFNB (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad