IXYS - IXFR36N50P

KEY Part #: K6416067

IXFR36N50P 価格設定(USD) [11578個在庫]

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品番:
IXFR36N50P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR36N50P 製品の属性

品番 : IXFR36N50P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
シリーズ : HiPerFET™, PolarHT™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 19A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 156W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOPLUS247™
パッケージ/ケース : ISOPLUS247™

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