IPD65R650CEATMA1 価格設定（USD） [2905個在庫]
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- 品番:
- IPD65R650CEATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1 electronic components. IPD65R650CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R650CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD65R650CEATMA1 製品の属性
品番 :
IPD65R650CEATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 0.21mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
440pF @ 100V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
86W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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