JANTX1N6643US 価格設定（USD） [7188個在庫]
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- 500 pcs$3.69032
- 品番:
- JANTX1N6643US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 125V 300MA D5D. ESD Suppressors / TVS Diodes .3A ULTRA FAST 75V
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6643US electronic components. JANTX1N6643US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6643US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTX1N6643US 製品の属性
品番 :
JANTX1N6643US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 125V 300MA D5D
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/578
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
125V
電流-平均整流（Io） :
300mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 100mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
6ns
電流-Vrでの逆漏れ :
50nA @ 20V
静電容量@ Vr、F :
5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, D
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5D
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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