FGA30N60LSDTU 価格設定（USD） [16971個在庫]
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- 450 pcs$1.63773
- 品番:
- FGA30N60LSDTU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 60A 480W TO3PN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGA30N60LSDTU electronic components. FGA30N60LSDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGA30N60LSDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGA30N60LSDTU 製品の属性
品番 :
FGA30N60LSDTU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 60A 480W TO3PN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
60A
電流-パルスコレクター（Icm） :
90A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.4V @ 15V, 30A
パワー-最大 :
480W
スイッチングエネルギー :
1.1mJ (on), 21mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
225nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
18ns/250ns
試験条件 :
400V, 30A, 6.8 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
35ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
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