VS-1N1186 価格設定（USD） [11516個在庫]
- 1 pcs$2.99676
- 10 pcs$2.69224
- 25 pcs$2.54495
- 100 pcs$2.20566
- 250 pcs$2.09255
- 500 pcs$1.87764
- 1,000 pcs$1.58355
- 品番:
- VS-1N1186
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB. Rectifiers 200 Volt 35 Amp
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-1N1186 electronic components. VS-1N1186 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-1N1186, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-1N1186 製品の属性
品番 :
VS-1N1186
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
35A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 110A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
10mA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース :
DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-203AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 190°C
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
-
SFA808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier
-
-
-
-
-
ホットパーツ
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF