Vishay Siliconix - SQA470EEJ-T1_GE3

KEY Part #: K6421255

SQA470EEJ-T1_GE3 価格設定(USD) [408942個在庫]

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品番:
SQA470EEJ-T1_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQA470EEJ-T1_GE3 製品の属性

品番 : SQA470EEJ-T1_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 56 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5.2nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 453pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 13.6W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6

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