NDD03N80Z-1G 価格設定（USD） [2727個在庫]
- 1,275 pcs$0.16984
- 品番:
- NDD03N80Z-1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NDD03N80Z-1G electronic components. NDD03N80Z-1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDD03N80Z-1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDD03N80Z-1G 製品の属性
品番 :
NDD03N80Z-1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
440pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
96W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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