Texas Instruments - CSD17308Q3

KEY Part #: K6420645

CSD17308Q3 価格設定(USD) [295859個在庫]

  • 1 pcs$0.12502
  • 2,500 pcs$0.12348

品番:
CSD17308Q3
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 47A 8SON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Texas Instruments CSD17308Q3 electronic components. CSD17308Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD17308Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17308Q3 製品の属性

品番 : CSD17308Q3
メーカー : Texas Instruments
説明 : MOSFET N-CH 30V 47A 8SON
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Ta), 44A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 3V, 8V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10.3 mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.8V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5.1nC @ 4.5V
Vgs(最大) : +10V, -8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 700pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.7W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません