Infineon Technologies - IPA65R280E6XKSA1

KEY Part #: K6417348

IPA65R280E6XKSA1 価格設定(USD) [29783個在庫]

  • 1 pcs$1.38380

品番:
IPA65R280E6XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPA65R280E6XKSA1 electronic components. IPA65R280E6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA65R280E6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R280E6XKSA1 製品の属性

品番 : IPA65R280E6XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 280 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 440µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 950pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 32W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • FQD5P20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK.