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- 品番:
- SI2304DS,215
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. SI2304DS,215 electronic components. SI2304DS,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2304DS,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI2304DS,215 製品の属性
品番 :
SI2304DS,215
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
117 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
195pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
830mW (Tc)
動作温度 :
-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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