VS-4EWH02FNTRR-M3 価格設定（USD） [312488個在庫]
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- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-4EWH02FNTRR-M3 electronic components. VS-4EWH02FNTRR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-4EWH02FNTRR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-4EWH02FNTRR-M3 製品の属性
品番 :
VS-4EWH02FNTRR-M3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
4A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
950mV @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
20ns
電流-Vrでの逆漏れ :
3µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-PAK (TO-252AA)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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