Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP30M-E3/73

KEY Part #: K6440247

RGP30M-E3/73 価格設定(USD) [204924個在庫]

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品番:
RGP30M-E3/73
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1000 Volt 3.0A 500ns 125 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP30M-E3/73 製品の属性

品番 : RGP30M-E3/73
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
シリーズ : SUPERECTIFIER®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 500ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-201AD
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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