GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-252

KEY Part #: K6454697

詳細な説明:: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 electronic components. GB10SLT12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB10SLT12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : GB10SLT12-252

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252

シリーズ : -

部品ステータス : Not For New Designs

ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1200V

電流-平均整流（Io） : 10A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 2V @ 10A

速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)

逆回復時間（trr） : 0ns

電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 1200V

静電容量@ Vr、F : 520pF @ 1V, 1MHz

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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