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Microsemi Corporation - 1N5552US

KEY Part #: K6425732

1N5552US 価格設定（USD） [6622個在庫]

  • 1 pcs$5.91419
  • 10 pcs$5.37698
  • 25 pcs$4.97374
品番:
1N5552US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5552US electronic components. 1N5552US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5552US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5552US 製品の属性

品番 : 1N5552US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 9A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5B
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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