IPD053N08N3GATMA1 価格設定（USD） [88475個在庫]
- 1 pcs$0.44194
- 2,500 pcs$0.40543
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD053N08N3GATMA1 electronic components. IPD053N08N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD053N08N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD053N08N3GATMA1 製品の属性
品番 :
IPD053N08N3GATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
90A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 90µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4750pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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