SI5902BDC-T1-E3 価格設定（USD） [150065個在庫]
- 1 pcs$0.24648
- 3,000 pcs$0.23145
- 品番:
- SI5902BDC-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5902BDC-T1-E3 electronic components. SI5902BDC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5902BDC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5902BDC-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI5902BDC-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
220pF @ 15V
パワー-最大 :
3.12W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
1206-8 ChipFET™
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO6604L_001
- SP8M3FU6TB
- AO4614BL_DELTA
- BTS7904SAKSA1
- AOD607_DELTA
- NTQD6968N
- IRF7303PBF
- AO8822#A
- AO4801AL_001
- AO4614BL_103
- EPC2100ENG
- AUIRF7319Q
- SI7980DP-T1-E3
- SI7909DN-T1-GE3
- SI7904DN-T1-E3
- SI4567DY-T1-GE3
- IRF6702M2DTR1PBF
- SI1539DL-T1-GE3
- BSL314PEL6327HTSA1
- SP8K5FU6TB
- DMN2040LSD-13
- SI1016X-T1-E3
- VMM1000-01P
- ZXMN6A09DN8TC
- FDS6892AZ
- FDS3912
- IRF7307PBF
- IRF7105PBF
- NTMD6N02R2
- TPC8208(TE12L,Q)
- PMDPB65UP,115
- SP8M10TB
- 2N7002VA-7
- IRF9395MTRPBF
- IPG20N04S408AATMA1
- IPG16N10S4L61AATMA1
- BSC0925NDATMA1
- IRFHS9351TRPBF
- PMDPB58UPE,115
- SSM6N36FE,LM