Vishay Siliconix - SI5902BDC-T1-E3

KEY Part #: K6522074

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品番:
SI5902BDC-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5902BDC-T1-E3 製品の属性

品番 : SI5902BDC-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 220pF @ 15V
パワー-最大 : 3.12W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ : 1206-8 ChipFET™

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