Vishay Semiconductor Diodes Division - VBT5200-E3/8W

KEY Part #: K6437094

VBT5200-E3/8W 価格設定(USD) [258516個在庫]

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品番:
VBT5200-E3/8W
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,200V,TRENCH SKY RECT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VBT5200-E3/8W electronic components. VBT5200-E3/8W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VBT5200-E3/8W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBT5200-E3/8W 製品の属性

品番 : VBT5200-E3/8W
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.6V @ 5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 150µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

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