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- 品番:
- SIDC24D30SIC3
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE SILICON 300V 10A WAFER.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SIDC24D30SIC3 electronic components. SIDC24D30SIC3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDC24D30SIC3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIDC24D30SIC3 製品の属性
品番 :
SIDC24D30SIC3
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
シリーズ :
-
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
300V
電流-平均整流（Io） :
10A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 10A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
200µA @ 300V
静電容量@ Vr、F :
600pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Sawn on foil
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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