Infineon Technologies - IPW65R070C6FKSA1

KEY Part #: K6398616

IPW65R070C6FKSA1 価格設定(USD) [8485個在庫]

  • 1 pcs$4.85651

品番:
IPW65R070C6FKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW65R070C6FKSA1 製品の属性

品番 : IPW65R070C6FKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 53.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 70 mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 1.76mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3900pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 391W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

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