Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-MBRB1635TRRPBF

KEY Part #: K6442796

VS-MBRB1635TRRPBF 価格設定(USD) [3011個在庫]

  • 800 pcs$0.69574

品番:
VS-MBRB1635TRRPBF
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 16A 35V D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-MBRB1635TRRPBF electronic components. VS-MBRB1635TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-MBRB1635TRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-MBRB1635TRRPBF 製品の属性

品番 : VS-MBRB1635TRRPBF
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE SCHOTTKY 16A 35V D2PAK
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io) : 16A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 630mV @ 16A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 200µA @ 35V
静電容量@ Vr、F : 1400pF @ 5V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB (D²PAK)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-8EWS12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS16SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.

  • VS-8EWF12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.

  • VS-8EWF10SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252.

  • VS-8EWF04SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252.