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ON Semiconductor - FDC658AP

KEY Part #: K6397527

FDC658AP 価格設定（USD） [501830個在庫]

  • 1 pcs$0.07407
  • 3,000 pcs$0.07371
品番:
FDC658AP
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDC658AP electronic components. FDC658AP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC658AP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC658AP 製品の属性

品番 : FDC658AP
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 50 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 8.1nC @ 5V
Vgs（最大） : ±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 470pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.6W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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