[2071個在庫]
- 品番:
- IDB09E60ATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IDB09E60ATMA1 electronic components. IDB09E60ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDB09E60ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDB09E60ATMA1 製品の属性
品番 :
IDB09E60ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
19.3A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
2V @ 9A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
75ns
電流-Vrでの逆漏れ :
50µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18