RN2701JE(TE85L,F) 価格設定（USD） [1060332個在庫]
- 1 pcs$0.03488
- 詳細な説明:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2701JE(TE85L,F) electronic components. RN2701JE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2701JE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN2701JE(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
RN2701JE(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
4.7 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
4.7 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
頻度-遷移 :
200MHz
パワー-最大 :
100mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-553
サプライヤーデバイスパッケージ :
ESV
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