Toshiba Semiconductor and Storage - RN2610(TE85L,F)

KEY Part #: K6529140

RN2610(TE85L,F) 価格設定(USD) [1060332個在庫]

  • 1 pcs$0.03488

品番:
RN2610(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2610(TE85L,F) electronic components. RN2610(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2610(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2610(TE85L,F) 製品の属性

品番 : RN2610(TE85L,F)
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 4.7 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : -
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
頻度-遷移 : 200MHz
パワー-最大 : 300mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-74, SOT-457
サプライヤーデバイスパッケージ : SM6

あなたも興味があるかもしれません
  • DMC266010R

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6.

  • DMG264H00R

    Panasonic Electronic Components

    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6.

  • DMC266060R

    Panasonic Electronic Components

    TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6.

  • DMG264060R

    Panasonic Electronic Components

    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6.

  • DMG264050R

    Panasonic Electronic Components

    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6.

  • DMC266050R

    Panasonic Electronic Components

    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI6.