Toshiba Semiconductor and Storage - RN2967FE(TE85L,F)

KEY Part #: K6529758

[2059個在庫]


    品番:
    RN2967FE(TE85L,F)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN2967FE(TE85L,F) 製品の属性

    品番 : RN2967FE(TE85L,F)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    トランジスタータイプ : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
    抵抗-ベース(R1) : 10 kOhms
    抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
    DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 80 @ 10mA, 5V
    Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
    頻度-遷移 : 200MHz
    パワー-最大 : 100mW
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666
    サプライヤーデバイスパッケージ : ES6

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