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GeneSiC Semiconductor - GB02SLT12-220

KEY Part #: K6440136

GB02SLT12-220 価格設定（USD） [21647個在庫]

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品番:
GB02SLT12-220
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-220 electronic components. GB02SLT12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB02SLT12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB02SLT12-220 製品の属性

品番 : GB02SLT12-220
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1200V
電流-平均整流（Io） : 2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.8V @ 2A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 50µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 138pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AC
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
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