[3156個在庫]
- 品番:
- FDZ191P_P
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDZ191P_P electronic components. FDZ191P_P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDZ191P_P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDZ191P_P 製品の属性
品番 :
FDZ191P_P
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
85 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
800pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.9W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-WLCSP (1.0x1.5)
パッケージ/ケース :
6-UFBGA, WLCSP
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