IXFH80N65X2-4 価格設定（USD） [9197個在庫]
- 1 pcs$4.48104
- 品番:
- IXFH80N65X2-4
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFH80N65X2-4 electronic components. IXFH80N65X2-4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH80N65X2-4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH80N65X2-4 製品の属性
品番 :
IXFH80N65X2-4
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8300pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
890W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-4L
パッケージ/ケース :
TO-247-4
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