IDW30G120C5BFKSA1 価格設定（USD） [3892個在庫]
- 1 pcs$10.09531
- 10 pcs$9.30862
- 100 pcs$7.56135
- 500 pcs$6.86492
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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IDW30G120C5BFKSA1 製品の属性
品番 :
IDW30G120C5BFKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
44A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.65V @ 15A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
124µA @ 1200V
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO247-3
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