GeneSiC Semiconductor - MBRTA60030R

KEY Part #: K6475776

[5986個在庫]


    品番:
    MBRTA60030R
    メーカー:
    GeneSiC Semiconductor
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3TOWER.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRTA60030R electronic components. MBRTA60030R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRTA60030R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBRTA60030R 製品の属性

    品番 : MBRTA60030R
    メーカー : GeneSiC Semiconductor
    説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3TOWER
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
    電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 300A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 700mV @ 300A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 30V
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : Three Tower
    サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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