Toshiba Semiconductor and Storage - HN1D02FU(T5L,F,T)

KEY Part #: K6474712

[6347個在庫]


    品番:
    HN1D02FU(T5L,F,T)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU(T5L,F,T) electronic components. HN1D02FU(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1D02FU(T5L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1D02FU(T5L,F,T) 製品の属性

    品番 : HN1D02FU(T5L,F,T)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    ダイオード構成 : 2 Pair Common Cathode
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 80V
    電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 100mA
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 100mA
    速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    逆回復時間(trr) : 4ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 80V
    動作温度-ジャンクション : 125°C (Max)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666
    サプライヤーデバイスパッケージ : US6

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