DMP56D0UFB-7 価格設定（USD） [727113個在庫]
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- 品番:
- DMP56D0UFB-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMP56D0UFB-7 electronic components. DMP56D0UFB-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP56D0UFB-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMP56D0UFB-7 製品の属性
品番 :
DMP56D0UFB-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
50V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.58nC @ 4V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
50.54pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
425mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
パッケージ/ケース :
3-UFDFN
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