GeneSiC Semiconductor - 1N1200A

KEY Part #: K6440743

1N1200A 価格設定(USD) [14126個在庫]

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品番:
1N1200A
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4. Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1200A 製品の属性

品番 : 1N1200A
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 12A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 12A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C
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