Vishay Siliconix - IRF740STRRPBF

KEY Part #: K6393252

IRF740STRRPBF 価格設定(USD) [50932個在庫]

  • 1 pcs$0.76770
  • 800 pcs$0.72593

品番:
IRF740STRRPBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRF740STRRPBF electronic components. IRF740STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF740STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF740STRRPBF 製品の属性

品番 : IRF740STRRPBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 400V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 550 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1400pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.1W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • VN1206L-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • FDD3690

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK.

  • FDD390N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK.

  • DKI03082

    Sanken

    MOSFET N-CH 30V 29A TO-252.

  • TK10A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS.

  • R6012ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM.