TPH3208LDG 価格設定（USD） [8238個在庫]
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- 100 pcs$4.26888
- 500 pcs$3.57663
- 品番:
- TPH3208LDG
- メーカー:
- Transphorm
- 詳細な説明:
- GANFET N-CH 650V 20A PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Transphorm TPH3208LDG electronic components. TPH3208LDG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH3208LDG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH3208LDG 製品の属性
品番 :
TPH3208LDG
メーカー :
Transphorm
説明 :
GANFET N-CH 650V 20A PQFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.6V @ 300µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 8V
Vgs（最大） :
±18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
760pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
96W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-PQFN (8x8)
パッケージ/ケース :
3-PowerDFN
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