SE40PDHM3_A/I 価格設定（USD） [374864個在庫]
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- 品番:
- SE40PDHM3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A, 200V, SMPC, ESD PROTECTION
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE40PDHM3_A/I electronic components. SE40PDHM3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE40PDHM3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE40PDHM3_A/I 製品の属性
品番 :
SE40PDHM3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, eSMP®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
2.4A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.05V @ 4A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2.2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
28pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-277, 3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-277A (SMPC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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ホットパーツ
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- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
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- SS19-E3/5AT
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- GP20B-E3/54
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