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Microsemi Corporation - JAN1N5614US

KEY Part #: K6427685

JAN1N5614US 価格設定（USD） [9261個在庫]

  • 1 pcs$5.74673
  • 10 pcs$5.17029
  • 25 pcs$4.71055
  • 100 pcs$4.25095
  • 250 pcs$3.90628
  • 500 pcs$3.56161
品番:
JAN1N5614US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5614US electronic components. JAN1N5614US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5614US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5614US 製品の属性

品番 : JAN1N5614US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/427
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

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